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DGTD120T25S1PT
DGTD120T25S1PT
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGTD120T25S1PT
- 商品编号
- C705308
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.089克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 348W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.4V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 204nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.942nF | |
| 输出电容(Coes) | 142pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 72pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 73ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 269ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.44mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 550uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 100ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
DGTD120T25S1PT采用先进的场截止沟槽IGBT技术生产，具有低集电极-发射极饱和电压、卓越品质和高开关性能。
商品特性
- 高速开关和低集电极-发射极饱和电压损耗
- 集电极电流为25A时，集电极-发射极饱和电压为2.0V
- 高输入阻抗
- 电流变化率为500A/微秒时，上升时间典型值为100ns
- 超软、快速恢复的反并联二极管
- 超窄正向电压分布控制
- 正温度系数，便于并联
- 最高结温175°C
- 无铅表面处理，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 电机驱动
- 不间断电源
- 电焊机
- 太阳能逆变器
- 电磁炉
- DMN2020UFCL-7
- PI7C9X130DNDE
- PI3HDX412BDZBEX
- DFLZ13-7
- AH3764Q-W-7
- AP7333-25SRG-7
- PI3PCIE3412AZHEX
- BZX84C15Q-7-F
- BZX84C6V2Q-13-F
- PI3PCIE3415ZHEX
- MMBT3904Q-7-F
- PI7C9X2G1616PRBHSBE
- PI7C9X2G404ELZXAE
- GBJ3510-F
- PI7C9X7958BNBE
- PSPMAA0412-R47M-ANP
- PSPMAA0412-1R0M-ANP
- PSPMAA0603H-R47M-ANP
- PSPMAC0603H-220M-ANF
- PSPMAA0603H-330M-ANF
- PSPMAA1040H-R36M-ANP