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DMN2020UFCL-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2020UFCL-7
- 商品编号
- C705312
- 商品封装
- X1-DFN1616-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.788nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 快速开关和软恢复
商品特性
- 典型离板高度为0.5 mm,非常适合轻薄型应用
- 低RDS(ON),可将传导损耗降至最低
- PCB占位面积为 2.56 mm^2
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
- 电源管理功能
- 负载开关
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