温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DGTD65T15H2TF
650V 30A
- 描述
- DGTD65T15H2TF采用先进的场截止沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术制造，具备高性能、卓越品质和高耐用性。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGTD65T15H2TF
- 商品编号
- C705300
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.992克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@15A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@0.5mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.129nF | |
| 输出电容(Coes) | 31pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 57pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 128ns | |
| 导通损耗(Eon) | 270uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 86uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 150ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |