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ME2604-G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.17nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ME2604是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
商品特性
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) ≤ 1.7 Ω
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) ≤ 1.9 Ω
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- DC/DC转换器
- 负载开关
- LCD显示器逆变器
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