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BSS123WQ-7-F
1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BSS123WQ-7-F
- 商品编号
- C72905
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 29pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通状态电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效功率管理应用。
应用领域
- 小型伺服电机控制
- 功率MOSFET栅极驱动器
- 开关应用