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BUK9K18-40E
2个N沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 描述
- 双逻辑电平N沟道MOSFET，采用TrenchMOS技术，封装为LFPAK56D（双Power-SO8）。该产品已按照AEC Q101标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9K18-40E
- 商品编号
- C6423723
- 商品封装
- LFPAK56D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.262克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.5mΩ@5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.061nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 内置栅源保护二极管
- 小型表面贴装封装（TSMT3）
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用