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TK20A60W5,S5VX(M
N沟道 600V 20A
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- 描述
- 特性：快速反向恢复时间：trr = 110 ns（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.15Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：VCu = 3至4.5V，VDS = 10V，ID = 1mA。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK20A60W5,S5VX(M
- 商品编号
- C6423737
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.284克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
AGM30P55A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 快速反向恢复时间:trr = 110 , ns(典型值)
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.15 Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 3至4.5 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
应用领域
-开关稳压器