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PSMN8R9-100BSE,118
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- SuperSOA N 沟道增强型 MOSFET，采用 D2PAK 封装，可在 175℃ 下工作。具备低 RDSon 和很强的线性模式（SOA）性能，可与最新的“热插拔”控制器配合使用，能够承受开启时的大量浪涌电流，低 RDSon 可将 I²R 损耗降至最低，并在完全导通时提供最佳效率。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN8R9-100BSE,118
- 商品编号
- C6423734
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.381克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 296W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.028nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 447pF |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
总价金额：
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