温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BUK9M35-80E
1个N沟道 耐压:80V 电流:26A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，封装为 LFPAK33 (Power33)。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9M35-80E
- 商品编号
- C6423726
- 商品封装
- SOT-1210
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0768克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 62W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.804nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK33（Power33）封装的逻辑电平N沟道MOSFET。本产品已根据AEC Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合Q101标准
- 具备重复雪崩额定值
- 最高结温达175°C，适用于对散热要求高的环境
- 真正的逻辑电平栅极，175°C时VGS(th)额定值大于0.5 V
应用领域
- 12 V、24 V和48 V汽车系统
- 电机、灯具和螺线管控制
- 变速器控制
- 超高性能功率开关