温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSBB0012
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSBB0012是新一代MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于高效电源管理应用。HSBB0012符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB0012
- 商品编号
- C701031
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSBB0012是新一代MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效率电源管理应用。HSBB0012符合RoHS和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力，经过全面功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 针对快速开关应用进行优化