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VBZFB40P04
1个P沟道 耐压:40V 电流:55A
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- 描述
- TO251；P—Channel沟道,-30V；-20A；RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBZFB40P04
- 商品编号
- C700677
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 620pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100%进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-电源开关-DC/DC 转换器