VBZM100N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
描述
TO220;N—Channel沟道,30V;120A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBZM100N03商品编号
C700698商品封装
TO-220AB-3包装方式
管装
商品毛重
2.67克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 120A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@10V,260A | |
功率(Pd) | - |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | - |
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
售价
折合1管
1+¥3.82
10+¥3.18
50+¥2.59¥129.5
100+¥2.27¥113.5
500+¥2.08¥104
1000+¥1.99¥99.5
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
0
江苏仓
50
SMT仓
0
购买数量(50个/管,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个50个/管
近期成交0单
精选推荐