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VBZM4N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于电源管理模块、马达驱动模块和照明控制模块等中低功率电力和电子应用。TO220；N—Channel沟道,200V；5A；RDS(ON)=910mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBZM4N20
- 商品编号
- C700713
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.79克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 910mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 185pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |