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VBZMB18N65
1个N沟道 耐压:650V
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- 描述
- TO-220F；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBZMB18N65
- 商品编号
- C700734
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品概述
UTC 20N70K-MT 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进技术，为客户提供极小的导通电阻和卓越的开关性能等。 UTC 20N70K-MT 通常应用于高效 DC - DC 转换器、PWM 电机控制和桥接电路等。
商品特性
- 降低反向恢复时间(trr)、反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复峰值电流(IRRM)
- 低品质因数(FOM)导通电阻(R\text on)×栅极电荷(Qg)
- 低输入电容(Ciss)
- 因降低反向恢复电荷(Qrr)而具有低开关损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定(UIS)
- 符合RoHS标准
应用领域
- 高效 DC - DC 转换器
- PWM 电机控制
- 桥接电路