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VBZMB8N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用平面结构技术，适用于电源模块、电机驱动、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,600V；8A；RDS(ON)=880mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBZMB8N60
- 商品编号
- C700740
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 880mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
-SJ-FET是新一代高压MOSFET系列,采用先进的电荷平衡机制,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。-这项先进技术经过优化,可最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。-SJ-FET适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换,以实现更高的效率。
商品特性
- 低栅极电荷Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性
- 完整表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 有源钳位正激电路
- 主开关