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VBZMB20N65S
1个N沟道 耐压:650V 电流:13A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBZMB20N65S
- 商品编号
- C700736
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
-沟槽功率中压MOSFET技术-出色的散热封装-高密度单元设计,实现低漏源导通电阻(R_DS(ON))
商品特性
- 漏源电压（VDS）60V
- 漏极电流（ID）150A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（栅源电压（VGS） = 10V时）< 5.5mΩ
- 100%进行了非钳位感应开关（UIS）测试
- 100%进行了△VDS测试
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理功能-工业和电机驱动应用