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VBZMB18N50
1个N沟道 耐压:550V 电流:11A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Plannar技术制造。适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。TO220F；N—Channel沟道,550V；18A；RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBZMB18N50
- 商品编号
- C700733
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.094nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 152pF |
商品特性
~~- 优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容 (Ciss)-降低电容开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值 (UIS)-最佳效率和运行性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数 (FOM):Ron × QG-快速开关-符合 RoHS*标准-符合要求-无卤素
应用领域
- 消费电子-显示器(LCD 或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源 (SMPS)-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-功率因数校正 (PFC)