VBZL80N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:110A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于中功率和中电压的场合,可广泛应用于各种电子设备和模块中。TO263;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBZL80N04商品编号
C700695商品封装
TO-263包装方式
管装
商品毛重
2.18克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 110A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 150W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.5nF@20V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 150pF@20V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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