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VBZL45N03

1个N沟道 耐压:100V 电流:45A

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N沟道场效应管,采用Trench工艺制造,适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。TO263;N—Channel沟道,30V;50A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
商品型号
VBZL45N03
商品编号
C700689
商品封装
TO-263
包装方式
管装
商品毛重
2.13克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)-
连续漏极电流(Id)27A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)3.75W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.201nF@15V
反向传输电容(Crss)170pF@15V
工作温度-55℃~+175℃

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