VBZL45N03
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N沟道场效应管,采用Trench工艺制造,适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。TO263;N—Channel沟道,30V;50A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBZL45N03商品编号
C700689商品封装
TO-263包装方式
管装
商品毛重
2.13克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 45A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 32mΩ@10V,45A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | - | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - |
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