VBZL45N03
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N沟道场效应管,采用Trench工艺制造,适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。TO263;N—Channel沟道,30V;50A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBZL45N03
- 商品编号
- C700689
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.13克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 27A | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
耗散功率(Pd) | 3.75W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.201nF@15V | |
反向传输电容(Crss) | 170pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1管
1+¥3.7485¥4.41
10+¥3.0515¥3.59
50+¥2.482¥2.92¥146
100+¥2.1335¥2.51¥125.5
500+¥1.921¥2.26¥113
1000+¥1.819¥2.14¥107
优惠活动
库存总量
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33
购买数量
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起订量:1 个50个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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