VBZFB60N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:110A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺制造,具有高性能、低损耗和稳定性的特点,适用于各种高功率和高频率控制的场合,能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。TO251;N—Channel沟道,30V;100A;RDS(ON)=3.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBZFB60N03商品编号
C700681商品封装
TO-251包装方式
管装
商品毛重
0.71克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 110A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2mΩ@10V,110A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | - | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - |
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