6116LA15SOG

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 6116LA15SOG
商品编号: C6400680
商品封装: SOIC-24
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

IDT6116SA/LA是一款16384位的高速静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2K×8。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。可提供低至15ns的访问时间。该电路还提供低功耗待机模式。当片选信号（CS）为高电平时，只要CS保持高电平，电路将自动进入并保持待机功耗模式。此功能可显著节省系统级的功耗和散热成本。低功耗（LA）版本还具备电池备份数据保留功能，在2V电池供电下，电路通常仅消耗1μW至4μW的功率。 IDT6116SA/LA的所有输入和输出均与TTL兼容。采用全静态异步电路，操作无需时钟或刷新。 IDT6116SA/LA采用24引脚300mil塑料双列直插式封装（DIP）、24引脚600mil和300mil陶瓷双列直插式封装，或24引脚鸥翼式小外形集成电路封装（SOIC），可提供高电路板级封装密度。级产品按照MIL - STD - 883 B级标准制造，非常适合对性能和可靠性要求极高的军温应用。

商品特性

高速访问和片选时间：
- 商用级：15/20/25ns（最大值）
- 工业级：20/25ns（最大值）
低功耗
具备电池备份操作：
- 仅LA版本具有2V数据保留电压
采用先进的CMOS高性能技术制造
CMOS工艺几乎消除了α粒子软错误率
输入和输出直接与TTL兼容
静态操作：无需时钟或刷新
提供陶瓷24引脚双列直插式封装、陶瓷和塑料24引脚薄型双列直插式封装以及24引脚SOIC封装
产品符合MIL - STD - 833 B级标准
部分速度可选工业温度范围（-40°C ~ +85°C）
提供环保产品，详见订购信息

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	16Kbit
	工作电压	4.5V~5.5V

	属性	参数值
	读写时间	15ns
	工作温度	0℃~+70℃
	待机电流	900nA
	功能特性	自动掉电功能