71V3579SA75BQG

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 71V3579SA75BQG
商品编号: C6404216
商品封装: CABGA-165(13x15)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能

商品概述

IDT71V3577/79是高速SRAM，组织为128K x 36/256K x 18。IDT71V3577/79 SRAM包含写、数据、地址和控制寄存器。数据输出路径中没有寄存器（直通架构）。内部逻辑允许SRAM基于一个可以延迟到写周期结束的决策生成自定时写操作。突发模式功能为系统设计者提供高性能，因为IDT71V3577/79可以为SRAM提供的单个地址提供四个数据周期。内部突发地址计数器接受来自处理器的第一个周期地址，启动访问序列。第一个输出数据周期将在同一周期的上升时钟边沿后，经过时钟到数据访问时间延迟，从阵列直通输出。如果选择突发模式操作（ADV=低电平），随后的三个输出数据周期将在接下来的三个上升时钟边沿上对用户可用。这三个地址的顺序由内部突发计数器和LBO输入引脚定义。采用高性能CMOS工艺，并封装在JEDEC标准的14mm x 20mm 引脚薄型塑料四边扁平封装（TQFP），以及119球栅阵列（BGA）和165细间距球栅阵列（fBGA）中。

商品特性

128K x 36、256K x 18内存配置
支持快速访问时间：商业级：6.5ns，最高133MHz时钟频率（仅TQFP封装）；商业和工业级：7.5ns最高117MHz，8.0ns最高100MHz，8.5ns最高87MHz
LBO输入选择交错或线性突发模式
自定时写周期，带有全局写控制（GW）、字节写使能（BWE）和字节写（BWx）
3.3V核心电源
由ZZ输入控制的掉电模式
3.3V I/O
可选边界扫描JTAG接口（符合IEEE 1149.1标准）
封装在JEDEC标准的100引脚塑料薄型四边扁平封装（TQFP）、119球栅阵列（BGA）和165细间距球栅阵列中

数据手册PDF

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