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71V256SA10PZG

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 71V256SA10PZG
商品编号: C6404197
商品封装: TSOP-28
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动掉电功能

商品概述

IDT71V256SA是一款262,144位的高速静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为32K×8。它采用IDT的高性能、高可靠性CMOS技术制造。IDT71V256SA具有出色的低功耗特性，同时保持非常高的性能。最快10ns的地址访问时间非常适合3.3V桌面设计中的3.3V二级缓存。当电源管理逻辑将IDT71V256SA置于待机模式时，其极低的功耗特性有助于延长电池寿命。通过将片选信号（CS）置为高电平，SRAM将自动进入低功耗待机模式，只要CS保持高电平，就会一直处于待机状态。此外，在完全待机模式下（CS处于CMOS电平，f = 0），功耗保证始终小于6.6mW，通常会小得多。IDT71V256SA采用28引脚300密耳SOJ和28引脚300密耳TSOP I型封装。

商品特性

非常适合高性能处理器二级缓存
有商用（0℃至+70℃）和工业（-40℃至+85℃）温度范围可选
快速访问时间：商用和工业级为10/12/15/20ns
低待机电流（最大值）：全待机时为2mA
采用小封装，节省空间布局：28引脚300密耳SOJ、28引脚TSOP I型
采用先进的高性能CMOS技术制造
输入和输出与LVTTL兼容
单3.3V（±0.3V）电源供电

数据手册PDF

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