71256L25YG

IDT 71256 是一款 262,144 位的高速静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 32K × 8。它采用高性能、高可靠性的 CMOS 技术制造。 地址访问时间最快可达 20ns，典型功耗仅为 350mW。该电路还提供低功耗待机模式。当片选信号 CS（上划线）为高电平时，只要 CS（上划线）保持高电平，电路将自动进入并保持低功耗待机模式。此功能可显著节省系统级的功耗和散热成本。低功耗（L）版本还具备电池备份数据保留功能，当使用 2V 电池供电时，电路典型功耗仅为 5μW。 IDT71256 采用 28 引脚（300 或 600 密耳）陶瓷双列直插封装（DIP）、28 引脚 300 密耳小外形 J 引脚封装（SOJ），可提供高电路板级封装密度。 IDT71256 RAM 按照 MIL - STD - 883 B 类的最新版本制造，非常适合对性能和可靠性要求极高的应用场景。

• 高速地址/芯片选择时间
  • 商用：20/25/35ns（最大值）
  • 工业用：20/25/35ns（最大值）
  • ：25/35/45/55/70/85/100ns（最大值）
• 低功耗运行
• 电池备份操作 - 2V 数据保留
• 采用先进的高性能 CMOS 技术制造
• 输入和输出直接与 TTL 兼容
• 提供标准 28 引脚（300 或 600 密耳）陶瓷 DIP、28 引脚（300 密耳）SOJ 封装
• 工业温度范围（-40°C 至 +85°C）适用于选定速度
• 提供环保产品，详见订购信息