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7130LA20PFG

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 7130LA20PFG
商品编号: C6403528
商品封装: TQFP-64(14x14)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	读写时间	20ns
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	自动掉电功能；内置写抑制功能

商品概述

IDT7130/IDT7140是高速1K x 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）。IDT7130可作为独立的8位双端口RAM使用，也可与IDT7140“从”双端口RAM一起，在16位或更宽字长的系统中作为“主”双端口RAM使用。在16位或更宽的内存系统应用中采用IDT主/从双端口RAM方法，可实现全速、无差错运行，无需额外的分立逻辑。

这两款器件都提供两个独立的端口，具有独立的控制、地址和输入/输出引脚，允许对内存中的任何位置进行独立的异步读写访问。由CE（上划线）控制的自动掉电功能，可使每个端口的片上电路进入极低的待机功耗模式。

这些器件采用CMOS高性能技术制造，通常仅消耗550mW的功率。低功耗（LA）版本具备电池备份数据保留功能，每个双端口通常从2V电池消耗200μW的功率。

IDT7130/IDT7140器件采用48引脚侧焊或塑料双列直插式封装（DIP）、无引脚芯片载体（LCC）、扁平封装、52引脚塑料有引脚芯片载体（PLCC）以及64引脚薄型四方扁平封装（TQFP）和超薄四方扁平封装（STQFP）。级产品按照MIL - PRF - 38535 QML的最新版本制造，非常适合对性能和可靠性要求极高的温度应用。

商品特性

高速访问
- 商用：20/25/35/55/100ns（最大值）
- 工业用：25/55ns（最大值）
- （此处原文本有军事相关内容，已按要求排除）
低功耗运行
- IDT7130/IDT7140SA
  - 工作状态：550mW（典型值）
  - 待机状态：5mW（典型值）
- IDT7130/IDT7140LA
  - 工作状态：550mW（典型值）
  - 待机状态：1mW（典型值）
主芯片IDT7130可轻松使用从芯片IDT7140将数据总线宽度扩展到16位或更多位
片上端口仲裁逻辑（仅IDT7130具备）
IDT7130有忙（BUSY）输出标志；IDT7140有忙（BUSY）输入
用于端口间通信的中断（INT）标志
两个端口均可完全异步操作
电池备份操作 - 2V数据保留（仅LA版本）
与TTL兼容，采用单一5V ±10%电源供电
工业温度范围（-40°C ~ +85°C）适用于选定速度
提供48引脚双列直插式封装（DIP）、无引脚芯片载体（LCC）和陶瓷扁平封装、52引脚塑料有引脚芯片载体（PLCC）以及64引脚薄型四方扁平封装（TQFP）和超薄四方扁平封装（STQFP）
提供环保型产品，详见订购信息

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	8Kbit
	工作电压	4.5V~5.5V