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CSD18537NQ5A实物图
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CSD18537NQ5A

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

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描述
CSD18537NQ5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
CSD18537NQ5A
商品编号
C72266
商品封装
SON-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.166克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V,12A
耗散功率(Pd)3.2W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)1.48nF@30V
反向传输电容(Crss)5.2pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)177pF

商品概述

这款 10 毫欧、60 伏、采用 SON 封装、尺寸为 5 毫米×6 毫米的 NexFET 功率 MOSFET 旨在最大程度降低功率转换应用中的损耗。

商品特性

  • 极低的 Qg 和 Qgd 值
  • 低热阻
  • 具有雪崩保护功能
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形无引脚(SON)封装,尺寸为 5 毫米x6 毫米,采用塑料材质

应用领域

  • 高侧同步降压转换器 - 电机控制