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UCC28C58DR

用于硅和碳化硅MOSFET的低功耗电流模式高性能PWM控制器

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描述: UCCx8C5x 系列器件是高性能电流模式 PWM 控制器，可在各种应用中驱动 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效率、更强大版本。除了支持 Si MOSFET 的现有欠压锁定（UVLO）阈值（UCCx8C50 - 55）之外，UCCx8C5x 系列还具备新的 UVLO 阈值，可实现 SiC MOSFET 的可靠运行（UCC28C56 - 59）
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC28C58DR
商品编号: C6343800
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.175克(g)

商品参数

商品概述

UCCx8C5x系列器件是高性能电流模式PWM控制器，可在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。UCCx8C5x系列是UCCx8C4x的更高效、更可靠版本。 UCCx8C5x系列具有新的欠压锁定（UVLO）阈值，可实现可靠的SiC MOSFET操作（UCC28C56 - 59），此外还保留了原有的UVLO阈值，以继续支持Si MOSFET（UCCx8C50 - 55）。 VDD绝对最大电压额定值从20V扩展到30V，可优化驱动20 - Vgs、18–Vgs或15 - Vgs的SiC MOSFET栅极，同时还可省去外部低压差线性稳压器（LDO）。 UCCx8C5x系列采用8引脚VSSOP（DGK）和8引脚SOIC（D）封装。

商品特性

欠压锁定选项，支持Si和SiC MOSFET应用
30V VDD绝对最大电压
1MHz最大固定频率工作
50μA启动电流，最大75μA
低工作电流：1.3mA（fOSC = 52kHz时）
快速35ns逐周期过流限制
±1A峰值驱动电流
轨到轨输出 – 25ns上升时间，20ns下降时间
±1%精度的2.5V误差放大器基准
引脚兼容，可直接替代UCCx8C4x
提供功能安全相关文档，有助于功能安全系统设计

应用领域

通用单端DC - DC或离线隔离式电源转换器
太阳能逆变器、电机驱动器、储能系统的辅助电源
电动汽车充电站的隔离式电源

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	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	功能类型	-
	工作电压	12.5V~28V
	输出电压	-
	输出电流	200mA
	开关频率	50.5kHz~55kHz
	工作温度	-40℃~+125℃@(TJ)

	属性	参数值
	同步整流	否
	输出通道数	1
	拓扑结构	反激式
	静态电流(Iq)	1.3mA
	开关管(内置/外置)	外置
	输出类型	可调