温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TK9J90E,S1E
1个N沟道 耐压:900V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 720 V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.9 mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK9J90E,S1E
- 商品编号
- C695269
- 商品封装
- TO-3P(N)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 720 V）
- 增强型：Vth = 2.5 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.9 mA）
应用领域
- 开关稳压器