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SI4466DY-T1-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- 特性：无卤。 TrenchFET功率MOSFET。 针对高端同步整流器操作进行优化。 100%进行Rg测试。 100%进行UIS测试。应用：笔记本电脑CPU核心。 高端开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4466DY-T1-VB
- 商品编号
- C693336
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |