ME4946-VB
2个N沟道 耐压:60V 电流:7A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款双N+P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8;2个N—Channel沟道,60V;6A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
ME4946-VB商品编号
C693349商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 4W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 18nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 750pF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 62pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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