温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLR3410TR-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
- 描述
- 特性：沟槽功率MOSFET。 150℃结温。 PWM优化。 100% Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：初级侧开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLR3410TR-VB
- 商品编号
- C693364
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 114mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单