RFD14N05LSM-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:16.9A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,采用Trench工艺,具有高性能和稳定的特性,适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252;N—Channel沟道,60V;18A;RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RFD14N05LSM-VB商品编号
C693365商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 18A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 41.7W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19.8nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 660pF@30V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF@30V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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