P2204ND5G-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款共源极N沟道和P沟道MOSFET,采用Trench技术,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用。TO252-4;N+P—Channel沟道,±40V;±50A;RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
P2204ND5G-VB商品编号
C693394商品封装
TO-252-4包装方式
编带
商品毛重
0.465克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V,38A | |
功率(Pd) | 108W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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