NDT2955-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:7A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型MOSFET,采用Trench工艺,适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223;P—Channel沟道,-60V;-7A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
NDT2955-VB商品编号
C693363商品封装
SOT-223-3包装方式
编带
商品毛重
0.202克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 2.1W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.5nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 150pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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