温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPCA8036-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：沟槽功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：笔记本电脑核心VRM/POL
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- TPCA8036-VB
- 商品编号
- C693341
- 商品封装
- PDFN-8(5.2x5.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V；5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.025nF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑核心
- 电压调节模块/负载点电源