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IRF7842TR-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:18A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7842TR-VB
- 商品编号
- C693294
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 985pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@15V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心-高端开关