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AON6405-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:47.3A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench技术，适合在有限空间内应用。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AON6405-VB
- 商品编号
- C693296
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.62nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 820pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 极低的 Qgd（栅极 - 漏极电荷），可降低开关损耗
- 100% 进行 Rg（栅极电阻）测试
- 100% 进行雪崩测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关-N 沟道 MOSFET