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FQPF6N60C-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，采用Plannar技术制造，具有高性能和可靠性。适用于各种电源和功率控制应用。TO220F；N—Channel沟道,650V；4A；RDS(ON)=2500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQPF6N60C-VB
- 商品编号
- C693313
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 177pF |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。SJ MOSFET是一款性价比优化的产品，适用于消费和照明市场对成本敏感的应用。
商品特性
- 极低的品质因数（导通状态下漏源电阻 × 栅极电荷）
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）