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BSS138DW-VB
2个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。低导通电阻：2.5 Ω。低阈值：2 V（典型值）。低输入电容：25 pF。快速开关速度：25 ns。低输入和输出泄漏。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSS138DW-VB
- 商品编号
- C693314
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.422克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单