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IRF7319TR-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.8A
- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 沟槽功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：电机驱动。 移动电源
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7319TR-VB
- 商品编号
- C693304
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V；2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@10V；18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF；620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF；57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF；95pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电机驱动-移动电源