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TPA60R240M
1个N沟道 耐压:600V 电流:15A
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- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPA60R240M
- 商品编号
- C691616
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.888克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.306nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用了STripFET F7技术，其沟槽栅结构经过优化，不仅能够显著降低导通电阻，还能有效减小内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 具备市场上极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 拥有出色的品质因数（FoM）
- 低反向传输电容与输入电容比（Crss / Ciss），增强抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用