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ILD207T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ILD207T

DC输入 隔离电压(rms):4000V

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描述
是由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。采用标准 SOIC-8 小外形封装,适用于空间有限的高密度应用。这种封装不仅无需通孔,还符合表面贴装器件的标准。指定的最小和最大电流传输比(CTR)允许相邻电路的电气设计具有较窄的容差。70V 的高集电极-发射极击穿电压(BVCEO)比 30V 的行业标准提供了更高的安全裕度。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
ILD207T
商品编号
C71049
商品封装
SO-8-150mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.344克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录晶体管输出光耦
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.2V
输出电流-
隔离电压(Vrms)4kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压70V
属性参数值
输出通道数2
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV@2.5mA,10mA
上升时间(tr)3us@2mA,100Ω
下降时间4.7us
工作温度-55℃~+100℃
电流传输比(CTR)最小值100%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值200%
正向电流(If)30mA
通道数:2
电压 - 隔离:4000Vrms
电流传输比(最小值):100% @ 10mA
电流传输比(最大值):200% @ 10mA
打开 / 关闭时间(典型值):6μs,5μs
上升/下降时间(典型值):3μs,4.7μs
输入类型:DC
输出类型:晶体管
电压 - 输出(最大值):70V
电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V
电流 - DC 正向(If):30mA
Vce 饱和值(最大值):400mV
工作温度:-55°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC

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