ILD207T
DC输入 隔离电压(rms):4000V
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- 描述
- 是由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。采用标准 SOIC-8 小外形封装,适用于空间有限的高密度应用。这种封装不仅无需通孔,还符合表面贴装器件的标准。指定的最小和最大电流传输比(CTR)允许相邻电路的电气设计具有较窄的容差。70V 的高集电极-发射极击穿电压(BVCEO)比 30V 的行业标准提供了更高的安全裕度。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- ILD207T
- 商品编号
- C71049
- 商品封装
- SO-8-150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.344克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 输出电流 | - | |
| 隔离电压(Vrms) | 4kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 70V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | 2 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@2.5mA,10mA | |
| 上升时间(tr) | 3us@2mA,100Ω | |
| 下降时间 | 4.7us | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 100% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 200% | |
| 正向电流(If) | 30mA |
通道数:2
电压 - 隔离:4000Vrms
电流传输比(最小值):100% @ 10mA
电流传输比(最大值):200% @ 10mA
打开 / 关闭时间(典型值):6μs,5μs
上升/下降时间(典型值):3μs,4.7μs
输入类型:DC
输出类型:晶体管
电压 - 输出(最大值):70V
电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V
电流 - DC 正向(If):30mA
Vce 饱和值(最大值):400mV
工作温度:-55°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
电压 - 隔离:4000Vrms
电流传输比(最小值):100% @ 10mA
电流传输比(最大值):200% @ 10mA
打开 / 关闭时间(典型值):6μs,5μs
上升/下降时间(典型值):3μs,4.7μs
输入类型:DC
输出类型:晶体管
电压 - 输出(最大值):70V
电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V
电流 - DC 正向(If):30mA
Vce 饱和值(最大值):400mV
工作温度:-55°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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