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MT55L64L32F1T-12IT

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT55L64L32F1T-12IT
商品编号: C6232192
商品封装: TQFP-100(14x20.1)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

美光（Micron）零总线反转（ZBT）SRAM系列采用先进的CMOS工艺，具备高速、低功耗的CMOS设计。MT55L128L18F1和MT55L64L32/36F1 SRAM将128K x 18、64K x 32或64K x 36 SRAM内核与先进的同步外围电路和2位突发计数器集成在一起。这些SRAM针对100%总线利用率进行了优化，消除了从读操作到写操作或从写操作到读操作的反转周期。所有同步输入都通过由正边沿触发的单时钟输入（CLK）控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、芯片使能（CE#）、用于轻松扩展深度的两个额外芯片使能（CE2、CE2#）、周期启动输入（ADV/LD#）、同步时钟使能（CKE#）、字节写使能（BWa#、BWb#、BWc#和BWd#）以及读/写（R/W#）。异步输入包括输出使能（OE#，为最小化控制信号可接地）、时钟（CLK）和休眠使能（ZZ，若未使用可接地）。还有一个突发模式引脚（MODE），用于在交错和线性突发模式之间进行选择。若不使用突发模式，MODE可接高电平、低电平或不连接。直通数据输出（Q）由OE#使能。写周期的宽度可由写控制输入控制为1到4个字节。所有读、写和取消选择周期由ADV/LD#输入启动。后续的突发地址可由突发推进引脚（ADV/LD#）控制在内部生成。突发模式的使用是可选的，也可以为每个单独的读和写周期提供地址。突发周期在从基地址进行第四次访问后循环。为了实现数据总线的连续100%使用，直通ZBT SRAM采用后期写周期。地址和写控制在芯片上进行寄存，以简化写周期，实现自定时写周期。单个字节使能允许写入单个字节。美光的2Mb ZBT SRAM由+3.3V VDD电源供电，所有输入和输出与LVTTL兼容，非常适合需要高带宽和零总线反转延迟的系统。

商品特性

高频且100%总线利用率
快速周期时间：10ns和12ns
单+3.3V ±5%电源
先进的控制逻辑，实现最小控制信号接口
单个R/W#（读/写）控制引脚
CKE#引脚用于启用时钟和暂停操作
三个芯片使能，便于简单的深度扩展
时钟控制和寄存的地址、数据I/O和控制信号
内部自定时、完全连贯的写操作
内部自定时、寄存输出，无需控制OE#
休眠模式，降低待机功耗
公共数据输入和数据输出
线性或交错突发模式
突发特性（可选）
100引脚TQFP封装
与4Mb、8Mb和16Mb ZBT SRAM引脚/功能兼容
自动掉电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	2Mbit

	属性	参数值
	工作电压	3.135V~3.6V
	工作温度	-40℃~+85℃