MT58L256L36DS-10
MT58L256L36DS-10
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT58L256L36DS-10
- 商品编号
- C6232207
- 商品封装
- TQFP-100(14x20.1)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 8Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3.135V~3.6V | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
美光SyncBurst™ SRAM系列采用高速、低功耗CMOS设计，通过先进的CMOS工艺制造。美光的8Mb SyncBurst SRAM将512K x 18、256K x 32或256K x 36 SRAM内核与先进的同步外围电路和2位突发计数器集成在一起。所有同步输入都通过由正边沿触发的单时钟输入（CLK）控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、低电平有效片选（CE#）、两个用于轻松扩展深度的附加片选（CE2、CE2#）、突发控制输入（ADSC#、ADSP#、ADV#）、字节写入使能（BWx#）和全局写入（GW#）。异步输入包括输出使能（OE#）、时钟（CLK）和休眠使能（ZZ）。还有一个突发模式输入（MODE），用于在交错和线性突发模式之间进行选择。数据输出（Q）由OE#使能，也是异步的。写入周期可以是1到2字节宽（x18）或1到4字节宽（x32/x36），由写入控制输入控制。该器件还包含一个额外的流水线使能寄存器，当执行取消选择时，可将输出缓冲器的关闭延迟一个额外的周期。美光的8Mb SyncBurst SRAM由+3.3V VDD电源供电，所有输入和输出都与TTL兼容。该器件非常适合奔腾和PowerPC流水线系统以及受益于非常宽、高速数据总线的系统，也适用于通用的16、18、32、36、64和72位宽应用。
商品特性
- 快速时钟和OE#访问时间
- 单一+3.3V（±一定电压范围）电源（VDD）
- 独立的+3.3V隔离输出缓冲器电源（VDDQ）
- 具有用于降低功耗待机的休眠模式
- 通用数据输入和数据输出
- 独立字节写入控制和全局写入
- 三个片选用于简单的深度扩展和地址流水线
- 时钟控制和寄存的地址、数据I/O和控制信号
- 内部自定时写入周期
- 突发控制（交错或线性突发）
- 便携式应用的自动掉电功能
- 100引脚TQFP封装
- 165引脚FBGA封装
- 低电容总线负载
- 提供x18、x32和x36版本
应用领域
- 奔腾和PowerPC流水线系统
- 高速数据总线系统
- 16位宽应用
- 18位宽应用
- 32位宽应用