MT58L64V36PT-5

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT58L64V36PT-5
商品编号: C6232235
商品封装: TQFP-100(14x20.1)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

SyncBurst SRAM系列采用高速低功耗CMOS设计，基于先进的CMOS工艺制造。2Mb SyncBurst SRAM集成了128K x 18、64K x 32或64K x 36的SRAM内核，配备先进的同步外围电路和2位突发计数器。所有同步输入通过由上升沿触发的单一时钟输入控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、低电平有效的芯片使能、两个用于简化深度扩展的附加芯片使能、突发控制输入、字节写入使能和全局写入。异步输入包括输出使能、时钟和休眠使能。另有一个突发模式引脚用于选择交错或线性突发模式。由输出使能控制的数据输出也是异步的。写入周期宽度可为一到两个字节或一到四个字节，具体由写入控制输入控制。突发操作可通过地址状态处理器或地址状态控制器输入引脚启动。后续突发地址可由内部生成，受突发提前引脚控制。地址和写入控制均在片内注册，以简化写入周期，实现自定时写入。独立的字节使能允许单独写入字节。在x18器件写入周期中，BWa#控制DQa引脚和DQPa，BWb#控制DQb引脚和DQPb。在x32和x36器件写入周期中，BWa#控制DQa引脚和DQPa，BWb#控制DQb引脚和DQPb，BWc#控制DQc引脚和DQPc，BWd#控制DQd引脚和DQPd。GW#为低电平时写入所有字节。奇偶校验引脚仅适用于x18和x36版本。该器件在读取周期中集成了单周期取消选择功能。若在读取后立即取消选择，输出总线将在时钟上升沿后tKQHZ纳秒进入高阻态。2Mb SyncBurst SRAM采用+3.3V VDD电源供电，所有输入和输出均兼容TTL电平。用户可选择3.3V或2.5V I/O版本。该器件适用于流水线系统以及需要极宽高速数据总线的系统，也适用于通用的16位、18位、32位、36位、64位和72位宽应用。

商品特性

快速的时钟和输出使能访问时间
单路+3.3V +0.3V/-0.165V电源供电
独立的+3.3V或+2.5V隔离输出缓冲电源
休眠模式用于降低待机功耗
单周期取消选择
共用数据输入和输出
独立的字节写入控制和全局写入
三个芯片使能用于简化深度扩展和地址流水线
时钟控制和注册的地址、数据输入输出及控制信号
内部自定时写入周期
突发控制引脚支持交错或线性突发
自动断电功能适用于便携式应用
100引脚TQFP封装
低电容总线负载
提供x18、x32和x36配置选项

应用领域

奔腾和PowerPC流水线系统
高速数据总线系统
16位宽应用
18位宽应用
32位宽应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	2Mbit

	属性	参数值
	工作电压	3.135V~3.6V
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	自动掉电功能