MT58L256V36PS-6TR

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT58L256V36PS-6TR
商品编号: C6232214
商品封装: TQFP-100(14x20.1)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

同步突发SRAM家族采用高速、低功耗CMOS设计，基于先进的CMOS工艺制造。4Mb同步突发SRAM集成了一个256K x 18、128K x 32或128K x 36的SRAM内核，并配有先进的同步外围电路和一个2位突发计数器。所有同步输入均通过由正边沿触发单时钟输入控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、低电平有效芯片使能、两个用于简化深度扩展的附加芯片使能、突发控制输入、字节写入使能和全局写入。异步输入包括输出使能、时钟和休眠模式使能。还有一个突发模式输入用于选择交错或线性突发模式。由输出使能控制的数据输出也是异步的。写入周期宽度可为一到两个字节或一到四个字节，由写入控制输入管理。突发操作可由地址状态处理器或地址状态控制器输入启动。后续突发地址可在突发提前输入的控制下内部生成。地址和写入控制在片内寄存，以简化写入周期，实现自定时写入。单个字节使能允许写入单个字节。全局写入低电平会导致所有字节被写入。奇偶校验位仅在x18和x36版本中可用。4Mb同步突发SRAM采用+3.3V VDD电源供电，所有输入和输出均与TTL兼容。用户可选择2.5V或3.3V I/O版本。该器件非常适合486、Pentium和PowerPC系统，以及受益于宽同步数据总线的系统。该器件也适用于通用的16位、18位、32位、36位、64位和72位宽应用。

商品特性

快速的时钟和输出使能访问时间
采用单路+3.3V电源供电
提供独立的+3.3V或+2.5V隔离输出缓冲器电源
具有休眠模式，可降低待机功耗
公共数据输入和数据输出
独立的字节写入控制和全局写入控制
三个芯片使能，便于深度扩展和地址流水线操作
时钟控制及寄存的地址、数据输入输出和控制信号
内部自定时写入周期
突发控制引脚
自动掉电功能
提供165引脚FBGA封装和100引脚TQFP封装
低电容总线负载
提供x18、x32和x36版本

应用领域

486系统
奔腾系统
PowerPC系统
16位宽应用
18位宽应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	工作电压	3.135V~3.6V

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	自动掉电功能