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MT55L256L18F1F-10

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT55L256L18F1F-10
商品编号: C6232188
商品封装: FBGA-165(13x15)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

美光零总线反转（ZBT）静态随机存取存储器（SRAM）系列采用高速、低功耗的CMOS设计，运用先进的CMOS工艺。美光的4Mb ZBT SRAM将256K×18、128K×32或128K×36的SRAM内核与先进的同步外围电路以及一个2位突发计数器集成在一起。这些SRAM针对100%的总线利用率进行了优化，在从读操作转换到写操作或反之的过程中消除了任何反转周期。所有同步输入都通过由正边沿触发的单时钟输入（CLK）控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、芯片使能（CE#）、两个用于轻松进行深度扩展的额外芯片使能（CE2、CE2#）、周期启动输入（ADV/LD#）、同步时钟使能（CKE#）、字节写入使能（BWa#、BWb#、BWc#和BWd#）以及读/写（R/W#）。异步输入包括输出使能（OE#，为了最小化控制信号可将其接地）、时钟（CLK）和休眠使能（ZZ，如果未使用可将其接地）。还有一个突发模式引脚（MODE），用于在交错和线性突发模式之间进行选择。如果不使用突发模式，MODE可以接高电平、低电平或不连接。直通数据输出（Q）由OE#使能。写周期的宽度可以从1到4个字节，由写控制输入控制。所有读、写和取消选择周期都由ADV/LD#输入启动。后续的突发地址可以由突发推进引脚（ADV/LD#）控制在内部生成。突发模式的使用是可选的。允许为每个单独的读和写周期提供一个地址。突发周期在从基地址进行第四次访问后循环。为了允许数据总线连续、100%地使用，直通ZBT SRAM使用延迟写周期。地址和写控制在片上进行寄存，以简化写周期。这允许自定时写周期。单个字节使能允许写入单个字节。美光的4Mb ZBT SRAM由+3.3V的VDD电源供电，所有输入和输出都与LVTTL兼容。用户可以选择2.5V或3.3V的I/O版本。该器件非常适合需要高带宽和零总线反转延迟的系统。

商品特性

高频和100%的总线利用率
快速的周期时间：10ns、11ns和12ns
单+3.3V ±5%电源（VDD）
独立的+3.3V或+2.5V隔离输出缓冲电源（VDDQ）
先进的控制逻辑，实现最小的控制信号接口
单个字节写入控制可以接地
单个R/W#（读/写）控制引脚
CKE#引脚用于使能时钟和暂停操作
三个芯片使能，便于简单的深度扩展
时钟控制和寄存的地址、数据输入输出和控制信号
内部自定时、完全连贯的写操作
内部自定时、寄存的输出，无需控制OE#
休眠模式，用于降低功耗的待机状态
公共数据输入和数据输出
线性或交错突发模式
突发功能（可选）
引脚/功能与2Mb、8Mb和16Mb ZBT SRAM系列兼容
165引脚FBGA封装
100引脚TSOP封装
自动掉电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	4Mbit

	属性	参数值
	工作电压	3.135V~3.465V
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	自动掉电功能