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SIHB22N60EF-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:19A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB22N60EF-GE3
- 商品编号
- C6228039
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 182mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 179W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.423nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 静电放电（ESD）保护栅极
- 快速开关时间
- 符合RoHS标准（无豁免项）
- 符合REACH法规、无冲突矿物
- 静电放电（ESD）保护栅极
- 快速开关时间
- 符合RoHS标准（无豁免项）
- 符合REACH法规、无冲突矿物
应用领域
- 信号处理
- 驱动器
- 逻辑电平转换器
- 商用/工业级
- 信号处理
- 驱动级电路
- 逻辑电平转换器
- 标准型
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