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SIHB12N60ET5-GE3实物图
  • SIHB12N60ET5-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHB12N60ET5-GE3

1个N沟道 耐压:600V 电流:12A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHB12N60ET5-GE3
商品编号
C6228036
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))380mΩ@10V
耗散功率(Pd)147W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)58nC@10V
输入电容(Ciss)937pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

MMRF2007N宽带集成电路采用片上预匹配设计,使其可在136至940 MHz频率范围内使用。这种多级结构的额定工作电压为26至32 V,采用两级设计,输入采用片外匹配,支持所有典型调制格式。

商品特性

  • 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
  • 低输入电容(Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷(Qg)
  • 雪崩能量额定值(UIS)

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 功率因数校正电源(PFC)
  • 照明
  • 高强度气体放电灯(HID)
  • 荧光灯镇流器照明
  • 工业领域
  • 焊接
  • 感应加热
  • 电机驱动
  • 电池充电器
  • 可再生能源
  • 太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF