温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIDR578EP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:78A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行调整。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR578EP-T1-RE3
- 商品编号
- C6228017
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.54nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品概述
这款新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度高达+175°C，适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON)，最大限度降低功率损耗
- 低QG，最大限度降低开关损耗
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合汽车标准的产品规格书单独提供（DMTH10H025LK3Q）
应用领域
- 电源管理功能-DC-DC转换器-背光照明
相似推荐
其他推荐
- SIDR680DP-T1-GE3
- SIE808DF-T1-GE3
- SIHA21N65EF-GE3
- SIHA22N60EL-E3
- SIHB12N60ET5-GE3
- SIHB22N60EF-GE3
- SIHB28N60EF-T1-GE3
- SIHD14N60ET5-GE3
- SIHD6N65ET4-GE3
- SIHF065N60E-GE3
- SIHF18N50D-E3
- SIHF6N65E-GE3
- SIHFR9310TRL-GE3
- SIHFR9310TRR-GE3
- SIHG039N60EF-GE3
- SIHG080N60E-GE3
- SIHG22N60AE-GE3
- SIHG47N60AE-GE3
- SIHH14N60E-T1-GE3
- SIHK045N60EF-T1GE3
- SIHP10N40D-E3